更新時間:2024-02-28
上儀三(san)廠鉑熱電(dian)阻,WZPK-135U, 熱電(dian)阻的工作原理(li):在溫度的作用下,電(dian)阻絲的電(dian)阻隨之(zhi)變(bian)化而(er)變(bian)化。
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上儀三廠鉑熱電阻,WZPK-135U,的詳細資料: |
測溫(wen)范圍、允差
名(ming)稱 | 型(xing)號 | 分度(du)號 | 測溫范圍 | 等級(ji) | 允許(xu)偏差(cha) |
鉑電阻 | WZP | Pt100 Pt10 | -200~±650℃ | A | ±(0.15+0.02t) |
B | ±0.30+0.005t | ||||
銅電(dian)阻 | WZC | Cu50 Cu100 | -50~+150℃ |
| ±(0.30+0.006t) |
2.熱響應時間
在(zai)溫度出(chu)現階躍變(bian)化時,熱電(dian)(dian)阻(zu)的電(dian)(dian)阻(zu)值變化至相當于該(gai)階躍變化的50%,所需要的時間稱為熱(re)響應時間,用t0.5表示。
3.自熱(re)影響(xiang)
鉑電阻允(yun)許通(tong)過電流(liu)1mA,zui大(da)測(ce)量電(dian)流為5mA,由(you)此產生的升溫不大于(yu)0.3℃。
4.電阻溫度(du)系數(α)與標稱值的(de)偏差
名(ming)稱 | 等級 | α | α |
鉑(bo)電(dian)阻 | A | 0.003851 | ±0.000006 |
B | ±0.000012 | ||
銅電阻 |
| 0.004280 | ±0.000020 |
5.絕緣電阻
當周圍空氣(qi)溫度15-35℃和相對濕(shi)度小(xiao)于80%時熱電阻(zu)絕緣電阻(zu)不小于100MΩ。
薄膜鉑電(dian)阻元(yuan)件
一(yi)、 概述
CRZ系列薄膜鉑(bo)熱(re)電阻(zu)元件是(shi)把金屬鉑(bo)研制成粉(fen)漿,采用*的激光(guang)噴濺薄膜技(ji)術及(ji)光(guang)刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引(yin)線經(jing)過(guo)激光(guang)調阻(zu)制成,*自動的生產程序保證了產品*符合(he)IEC標準。
二、 技術特點(dian)
1. 薄(bo)膜鉑(bo)熱電(dian)阻元件用陶瓷和鉑(bo)制成(cheng),因而在(zai)高(gao)溫下能夠保持優良的穩定性,適合在(zai)-50~400℃的溫度下(xia)使用。
2. 鉑薄膜(mo)通過激光噴(pen)濺在陶(tao)瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖(chong)擊性能。
3. 薄膜(mo)表面蓋以陶瓷,因(yin)而(er)元(yuan)件能夠承(cheng)受高壓,并具有良好的絕緣性(xing)。
4. 引(yin)線(xian)材料(liao)為(wei)鎳(nie)鍍金(jin)和純鈀兩(liang)種。
5. 規格:
型號 | 規格 長×寬×高 | 阻值(zhi) | 測量電(dian)流 | 精(jing)度 | 測量范(fan)圍 | 熱(re)響應(ying)時(shi)間(jian) |
CRZ-1632 | 3.2×1.6×1.0 | PT100 PT100 | ≤1mA | A | -50~550℃ | ≤0.3S |
CRZ-2005 | 5.0×2.0×1.1 | PT50 | ≤2mA | A | -50~400℃ | |
CRZ-2005 | 5.0×2.0×1.0 | PT10 | ≤0.5mA | B | -50~500℃ |
6. 精度:
等(deng)級(ji) | α | 0℃時的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
021-56699281
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