鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-364U

更新時(shi)間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝(zhuang)薄膜鉑(bo)熱(re)電阻(zu)，WZPK-364U熱(re)電阻(zu)的(de)(de)工作原理(li)：在溫度的(de)(de)作用下，電阻(zu)絲的(de)(de)電阻(zu)隨之變(bian)化(hua)而變(bian)化(hua)。可(ke)用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的(de)(de)溫度。其(qi)優(you)點是：偏差極小。由于它的(de)(de)良好(hao)電輸出性能，熱(re)電阻(zu)可(ke)為顯示(shi)儀(yi)(yi)、記錄儀(yi)(yi)、調節(jie)儀(yi)(yi)、掃描儀(yi)(yi)及電腦提(ti)供精(jing)確的(de)(de)輸入值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-364U上海自動化儀表三廠, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

WZPK364U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-364U上海自動化儀表三廠,的詳細資料：

1．測(ce)溫范圍(wei)、允(yun)差

名(ming)稱	型號(hao)	分度號	測溫范圍	等(deng)級	允許偏差
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電(dian)阻(zu)	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間

在溫度出現(xian)階躍變化時(shi),熱電(dian)(dian)阻的(de)電(dian)(dian)阻值(zhi)變(bian)化至相當于該(gai)階躍(yue)變(bian)化的(de)50%，所需要(yao)的(de)時間稱為(wei)熱響應(ying)時間，用t0.5表示。

3.自熱(re)影響(xiang)

鉑電阻允許通過(guo)電流1mA，zui大測量電流為5mA，由此產生的(de)升溫不(bu)大于0.3℃。

4.電阻溫度系(xi)數（α）與標稱值的偏差

名稱(cheng)	等級	α	α
鉑電(dian)阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電(dian)阻	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當周圍空氣溫度(du)15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

薄膜(mo)鉑電阻元(yuan)件

一、   概述

CRZ系列(lie)薄膜(mo)鉑熱電(dian)阻元件是(shi)把金屬鉑研制成(cheng)粉(fen)漿，采用*的激(ji)光(guang)噴濺薄膜(mo)技術及光(guang)刻法(fa)和干燥蝕刻法(fa)把附著在陶瓷(ci)基片上形成(cheng)膜(mo)，引線經(jing)過激(ji)光(guang)調(diao)阻制成(cheng)，*自動的生(sheng)產程序保(bao)證了(le)產品(pin)*符(fu)合IEC標準。

二、 ; 技術特點(dian)

1．     薄膜(mo)鉑(bo)熱電阻(zu)元件用(yong)陶瓷和鉑(bo)制成，因而在高溫下能夠保持(chi)優良的穩定性，適(shi)合在-50～400℃的溫度下(xia)使用(yong)。

2．鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它(ta)具(ju)有良好的防震(zhen)和防沖擊性能。

3． ; 薄(bo)膜表(biao)面蓋以(yi)陶瓷(ci)，因而元(yuan)件能夠承受高壓(ya)，并具有良好的絕緣性。

4．   引線材料為(wei)鎳(nie)鍍金和(he)純(chun)鈀兩(liang)種。

5． ; 規格：

型號	規格長(chang)×寬×高	阻值(zhi)	測量電(dian)流	精度(du)	測量范圍	熱響應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃