鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-163U

更新(xin)時間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝薄膜鉑熱電(dian)(dian)阻(zu)，WZPK-163U熱電(dian)(dian)阻(zu)的(de)工作(zuo)原理：在(zai)溫度(du)(du)的(de)作(zuo)用下(xia)，電(dian)(dian)阻(zu)絲的(de)電(dian)(dian)阻(zu)隨(sui)之(zhi)變(bian)化而變(bian)化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍(wei)內(nei)的(de)溫度(du)(du)。其優(you)點是：偏差(cha)極小(xiao)。由(you)于它(ta)的(de)良好電(dian)(dian)輸出性能，熱電(dian)(dian)阻(zu)可為顯示儀(yi)、記錄(lu)儀(yi)、調節(jie)儀(yi)、掃(sao)描(miao)儀(yi)及電(dian)(dian)腦提(ti)供精確的(de)輸入(ru)值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-163U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

WZPK163U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-163U,的詳細資料：

1．   測溫范圍、允差

名稱	型號(hao)	分度號	測溫范圍(wei)	等級	允許偏差
鉑電阻(zu)	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻(zu)	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅(tong)電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間

在溫度(du)出現階(jie)躍變(bian)化時,熱電阻(zu)的電阻(zu)值變(bian)化至(zhi)相(xiang)當于該(gai)階(jie)躍變(bian)化的50%，所需要的時間稱(cheng)為熱響(xiang)應時間，用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允(yun)許通過電流1mA，zui大測量電流為5mA，由此產(chan)生的升溫(wen)不(bu)大于0.3℃。

4.電(dian)阻溫度系數（α）與標稱(cheng)值的偏差

名稱	等級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅(tong)電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當周(zhou)圍空(kong)氣(qi)溫度15-35℃和相對濕度小于(yu)80%時熱(re)電阻(zu)絕緣(yuan)電阻(zu)不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元件

一(yi)、     概述

CRZ系列薄膜鉑熱(re)電阻元件(jian)是把金屬鉑研制成粉漿，采用*的激光(guang)噴(pen)濺(jian)薄膜技術及光(guang)刻法和干(gan)燥蝕刻法把附著(zhu)在陶瓷(ci)基片上形成膜，引(yin)線經過激光(guang)調阻制成，*自動的生產程序保證了(le)產品*符合IEC標準。

二、     技術特點(dian)

1．   薄膜鉑(bo)熱(re)電阻元件用陶瓷(ci)和鉑(bo)制成，因而在高溫下能夠保持優(you)良的穩定性，適(shi)合在-50～400℃的溫度下使(shi)用(yong)。

2．   鉑薄(bo)膜通(tong)過激光(guang)噴濺在陶(tao)瓷表層(ceng)，因而它具有(you)良好的防震(zhen)和防沖(chong)擊性(xing)能。

3．     薄膜表(biao)面蓋以(yi)陶瓷，因而元件能夠(gou)承受高壓，并具有良(liang)好的絕緣(yuan)性。

4．     引線(xian)材料為鎳鍍(du)金和純鈀(ba)兩(liang)種(zhong)。

5．   規格：

型號	規格長×寬×高	阻值	測量電(dian)流	精度	測量范圍(wei)	熱響應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃