1．           ;   測(ce)溫(wen)范圍、允差

2.熱響(xiang)應(ying)時(shi)間

   在溫度出現階(jie)躍變化時,熱電(dian)阻的電(dian)阻值變(bian)化至相(xiang)當于該階躍(yue)變(bian)化的50%，所需要的時(shi)間稱為熱響應(ying)時(shi)間，用t0.5表示。

3.自熱影(ying)響(xiang)

鉑(bo)電(dian)阻允許通過電(dian)流(liu)1mA，zui大測(ce)量電流為(wei)5mA，由此產生(sheng)的升溫不(bu)大(da)于(yu)0.3℃。

4.電(dian)阻溫度系(xi)數（α）與標稱(cheng)值的偏差

5.絕緣電阻

     當周圍空(kong)氣溫度(du)15-35℃和(he)相對濕度小(xiao)于80%時(shi)熱電(dian)阻絕(jue)緣電(dian)阻不小于100MΩ。

薄膜鉑(bo)電阻元件

一(yi)、         概述

      CRZ系(xi)列薄膜(mo)鉑熱電(dian)阻元件(jian)是把金屬鉑研制(zhi)成(cheng)粉漿，采用*的激光噴濺(jian)薄膜(mo)技術及光刻法和干燥蝕(shi)刻法把附著在陶瓷(ci)基片上形成(cheng)膜(mo)，引線經(jing)過激光調阻制(zhi)成(cheng)，*自(zi)動的生產程序保(bao)證(zheng)了產品*符合IEC標準。

二、         技(ji)術特點

1．              薄膜鉑(bo)熱電阻元(yuan)件用陶瓷和鉑(bo)制成，因(yin)而在高溫下能夠(gou)保持(chi)優良的穩(wen)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。

2．              鉑薄膜(mo)通過激光噴(pen)濺在陶(tao)瓷(ci)表層(ceng)，因(yin)而它具有良(liang)好的防震和防沖(chong)擊性能(neng)。

3．              薄膜表面蓋以(yi)陶瓷，因而元件能(neng)夠承受(shou)高壓，并(bing)具有良(liang)好的絕緣性(xing)。

4．              引(yin)線材(cai)料為(wei)鎳鍍金和純鈀兩種(zhong)。

5．              規格：

6．              精度：