1．              測溫(wen)范圍、允(yun)差(cha)

2.熱響應時間

   在溫度出現階躍(yue)變(bian)化時,熱(re)電阻的(de)電阻值變化至相當于該階躍變化的(de)50%，所需(xu)要的時間稱為(wei)熱(re)響應時間，用t0.5表示。

3.自熱(re)影響

鉑電(dian)阻(zu)允許(xu)通過電(dian)流(liu)1mA，zui大(da)測量電流(liu)為5mA，由此(ci)產生(sheng)的升溫不大(da)于0.3℃。

4.電阻溫(wen)度系(xi)數（α）與標稱值的偏差

5.絕緣電(dian)阻

     當周圍(wei)空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕(jue)緣電阻不小于(yu)100MΩ。

薄膜鉑電阻元件

一、         ;概述

      CRZ系列薄(bo)膜(mo)鉑熱電阻元(yuan)件是把金屬鉑研制成粉漿，采用*的激光噴(pen)濺(jian)薄(bo)膜(mo)技術及光刻法和干燥(zao)蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜(mo)，引(yin)線經過激光調阻制成，*自動的生產程序保證了產品*符合(he)IEC標準(zhun)。

二、       ;  技術特點

1．              薄膜鉑(bo)熱電阻元件用陶瓷和(he)鉑(bo)制(zhi)成，因而(er)在(zai)高溫下能夠保持優良的穩定(ding)性，適合(he)在(zai)-50～400℃的溫度下使用。

2．              鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷(ci)表(biao)層，因而(er)它具有良好的(de)防震(zhen)和防沖擊性能。

3．       ;       薄膜表面蓋以陶瓷，因而元(yuan)件能夠(gou)承(cheng)受高(gao)壓，并具有良好(hao)的絕緣性。

4．              引線材料為鎳鍍金和純(chun)鈀兩種。

5．          ;  ;  規(gui)格：

6．              精度(du)：