鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U,

更新時間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝(zhuang)薄(bo)膜鉑熱(re)(re)電(dian)(dian)阻，WZPK-134U, 熱(re)(re)電(dian)(dian)阻的(de)工作原理：在溫度的(de)作用下，電(dian)(dian)阻絲(si)的(de)電(dian)(dian)阻隨之(zhi)變(bian)化而變(bian)化。可用于測量(liang) -200℃～﹢800℃范圍內的(de)溫度。其優點是：偏(pian)差極(ji)小。由于它的(de)良好電(dian)(dian)輸(shu)出性能，熱(re)(re)電(dian)(dian)阻可為顯(xian)示(shi)儀(yi)(yi)、記錄儀(yi)(yi)、調節儀(yi)(yi)、掃描儀(yi)(yi)及電(dian)(dian)腦提供精確(que)的(de)輸(shu)入(ru)值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U,的詳細資料：

1．   測(ce)溫范圍(wei)、允差

名稱	型(xing)號	分度號	測溫范圍	等級	允許偏差(cha)
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間(jian)

在溫度出現階躍變化(hua)時,熱電阻的電阻值變(bian)化至相當(dang)于該階躍變(bian)化的50%，所需要的時(shi)間稱為熱響應時(shi)間，用t0.5表(biao)示。

3.自熱影響(xiang)

鉑電(dian)阻允許通(tong)過(guo)電(dian)流1mA，zui大測(ce)量電流(liu)為5mA，由此產生的升溫(wen)不(bu)大于0.3℃。

4.電阻溫(wen)度系數（α）與標稱值(zhi)的偏(pian)差

名(ming)稱	等級	α	α
鉑電(dian)阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電(dian)阻	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當周圍空氣溫(wen)度15-35℃和相(xiang)對(dui)濕度小于80%時熱電(dian)阻絕緣(yuan)電(dian)阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元件

一、    概述

CRZ系列薄膜鉑熱電阻(zu)元(yuan)件(jian)是把金屬鉑研制成(cheng)粉漿，采用*的激(ji)(ji)光噴(pen)濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附(fu)著在(zai)陶瓷基片(pian)上形成(cheng)膜，引線經過激(ji)(ji)光調阻(zu)制成(cheng)，*自動的生產程(cheng)序保證了產品(pin)*符合IEC標準。

二、   技術特點

1．     薄(bo)膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因(yin)而在高溫下(xia)能夠保(bao)持優良的(de)穩定性，適(shi)合在-50～400℃的溫度下使用。

2．   鉑(bo)薄膜通過激光噴濺(jian)在陶(tao)瓷表層，因而它(ta)具有良好的防震和防沖擊性(xing)能。

3．     薄膜表面蓋以陶(tao)瓷，因而(er)元件能夠承受高(gao)壓，并具有良好的絕緣性。

4．     引線材料為鎳鍍金和(he)純鈀兩種。

5．   規格：

型號	規(gui)格長×寬(kuan)×高(gao)	阻值	測量(liang)電(dian)流	精度(du)	測(ce)量范圍	熱響應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃