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鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-123U

更新時間(jian):2024-02-28

簡要描述:

鎧裝薄膜鉑熱(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu),WZPK-123U, 熱(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)的工作原(yuan)理:在溫度的作用(yong)下,電(dian)(dian)(dian)阻(zu)絲的電(dian)(dian)(dian)阻(zu)隨之變化而變化。可用(yong)于(yu)測量 -200℃~﹢800℃范圍(wei)內的溫度。

 

鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-123U

熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃~﹢800℃范圍內的溫度。其優點是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
 詳細資料:

1.              測溫范圍、允差(cha)

 

名(ming)稱

型號

分度號

測溫范圍(wei)

等(deng)級

允(yun)許偏差

鉑電阻(zu)

WZP

Pt100

Pt10

-200~±650℃

A

±(0.15+0.02t)

B

±0.30+0.005t

銅電(dian)阻

WZC

Cu50

Cu100

-50~+150℃

 

±(0.30+0.006t)

 

2.熱響應時間

   在溫度出現階躍變化時(shi),熱電阻的(de)(de)電阻值變化至相當于該(gai)階躍變化的(de)(de)50%,所需要的(de)(de)時(shi)間(jian)稱為熱響應(ying)時(shi)間(jian),用t0.5表(biao)示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通(tong)過電流(liu)1mA,zui大(da)測量電流(liu)為5mA,由此產生的升溫不大(da)于0.3℃。

 

4.電阻溫度系數(α)與標(biao)稱(cheng)值的偏(pian)差(cha)

 

名(ming)稱

等級

α

α

鉑電阻

A

0.003851

±0.000006

B

±0.000012

銅電阻

 

0.004280

±0.000020

 

5.絕緣電阻

     當周圍空氣溫度15-35℃和(he)相(xiang)對濕度小于80%時熱電阻(zu)絕緣電阻(zu)不(bu)小于100MΩ。

 

薄(bo)膜鉑電(dian)阻(zu)元件(jian)

一、   ;      概述

      CRZ系列(lie)薄膜(mo)鉑熱電(dian)阻元件是把金(jin)屬鉑研制(zhi)成粉漿,采用*的激光噴濺薄膜(mo)技術及(ji)光刻(ke)法和干燥蝕刻(ke)法把附著在陶(tao)瓷基片上形(xing)成膜(mo),引(yin)線經過激光調(diao)阻制(zhi)成,*自動的生產(chan)程序(xu)保證了產(chan)品*符合(he)IEC標準。

二、         技術(shu)特點

1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶(tao)瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保(bao)持(chi)優良的穩(wen)定(ding)性,適合在-50~400℃的溫度下使用。

2.              鉑薄膜(mo)通(tong)過激光噴濺在陶瓷表(biao)層,因而它具有(you)良好的防震和防沖擊(ji)性能。

3.              薄膜(mo)表面蓋以(yi)陶(tao)瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有(you)良好的絕緣性。

4.              引線材料為鎳(nie)鍍金和純鈀兩(liang)種。

5.    ;          規格:

 

型號

規格

長×寬×高

阻值

測量電流(liu)

精度

測量(liang)范圍(wei)

熱響應(ying)時間

CRZ-1632

3.2×1.6×1.0

PT100

PT100

≤1mA

A

-50~550℃

≤0.3S

CRZ-2005

5.0×2.0×1.1

PT50

≤2mA

A

-50~400℃

CRZ-2005

5.0×2.0×1.0

PT10

≤0.5mA

B

-50~500℃

 

6.              精(jing)度:

 

等級

α

0℃時的(de)電阻值(zhi)(Ω)

允許(xu)偏差(Ω)

A

 0.003851

100.00

±0.150+0.002t

B

0.003851

100.00

±0.30+0.005t

鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-123U

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